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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9333TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@9.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9393TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：13.3mΩ@9.2A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9393TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：13.3mΩ@9.2A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9393TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：13.3mΩ@9.2A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
