采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1826，"23+"：14095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1826，"23+"：14095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14428，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14428，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
