品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
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类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
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分类:Mosfet场效应管
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栅极电荷:24nC@5V
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栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
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栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
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输入电容:1.604nF@15V
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栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
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功率:2.5W
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栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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功率:2.5W
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
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行业应用:工业,汽车
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功率:2.5W
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栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
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