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品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：185}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRG4BC30FD1PBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：124A
关断延迟时间：250ns
反向恢复时间：46ns
关断损耗：1.42mJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，17A
导通损耗：370µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS6D5N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：121A
类型：MOSFET
导通电阻：7mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS6D5N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：121A
类型：MOSFET
导通电阻：7mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGB10H60DF
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGB10H60DF
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS6D5N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：121A
类型：MOSFET
导通电阻：7mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS6D5N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：121A
类型：MOSFET
导通电阻：7mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS6D5N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：121A
类型：MOSFET
导通电阻：7mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
关断延迟时间：103ns
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 175℃
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
反向恢复时间：107ns
栅极电荷：57nC
导通损耗：83µJ
包装方式：管件
关断损耗：140µJ
集电极脉冲电流(Icm)：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
关断延迟时间：103ns
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 175℃
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
反向恢复时间：107ns
栅极电荷：57nC
导通损耗：83µJ
包装方式：管件
关断损耗：140µJ
集电极脉冲电流(Icm)：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS6D5N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：121A
类型：MOSFET
导通电阻：7mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS6D5N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：121A
类型：MOSFET
导通电阻：7mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP10H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：103ns
反向恢复时间：107ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：19.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，10A
导通损耗：83µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：185}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRG4BC30FD1PBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：124A
关断延迟时间：250ns
反向恢复时间：46ns
关断损耗：1.42mJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：57nC
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，17A
导通损耗：370µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS6D5N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：121A
类型：MOSFET
导通电阻：7mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
