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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
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功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
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导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
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功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：24W€3.2W
漏源电压：80V
导通电阻：34mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
