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    栅极电荷: 22nC@10V
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    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
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    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:52W

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:1088pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:52W

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:1088pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:99
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R506NH,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R506NH,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN7R506NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R506NH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R506NH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN7R506NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1812

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R506NH,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R506NH,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN7R506NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R006PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R006PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R006PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:81W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1875pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
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