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    栅极电荷: 22nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4446P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:10.5A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4446P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:10.5A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4446P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:10.5A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4446P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:10.5A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4446P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:10.5A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4446P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:10.5A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4446P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:10.5A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4446P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4446P-AU_R2_000A1

    输入电容:1258pF@25V

    功率:2.4W€50W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:10.5A€48A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:22nC@10V

    导通电阻:9mΩ@8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2816

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€53.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1109pF@40V

    连续漏极电流:8.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:99
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6N036ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6N036ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3V@18µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.68mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AOD256
    AOS Mosfet场效应管 AOD256

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD256

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1165pF@75V

    连续漏极电流:3A€19A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@50V

    连续漏极电流:9A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@50V

    连续漏极电流:9A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6N036ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6N036ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3V@18µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.68mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6N036ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6N036ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":417681,"24+":19638}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3V@18µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.68mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1004
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y53-100B,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y53-100B,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y53-100B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1467pF@25V

    连续漏极电流:24.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@50V

    连续漏极电流:9A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1270pF@12V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@50V

    连续漏极电流:9A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@50V

    连续漏极电流:9A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2365,"22+":2744,"23+":2291}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@50V

    连续漏极电流:9A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOD256 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD256 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD256

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1165pF@75V

    连续漏极电流:3A€19A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1270pF@12V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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