采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
功率：80W
漏源电压：600V
导通电阻：560mΩ@4A，10V
栅极电荷：22nC@10V
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
输入电容：740pF@25V
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
功率：124W
漏源电压：600V
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
功率：80W
漏源电压：600V
导通电阻：560mΩ@4A，10V
栅极电荷：22nC@10V
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
输入电容：740pF@25V
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
功率：124W
漏源电压：600V
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2214
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
