首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    栅极电荷: 22nC@10V
    类型: 1个N沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ

    功率:830mW€69W

    阈值电压:2.1V@200μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.975nF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ

    功率:830mW€69W

    阈值电压:2.1V@200μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.975nF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ

    功率:830mW€69W

    阈值电压:2.1V@200μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.975nF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KNXC7G 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KNXC7G 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8006KNXC7G

    功率:52W

    阈值电压:4.5V@4mA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:900mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ

    功率:830mW€69W

    阈值电压:2.1V@200μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.975nF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6511KNXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6511KNXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6511KNXC7G

    功率:53W

    阈值电压:5V@320μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KNXC7G 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KNXC7G 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8006KNXC7G

    功率:52W

    阈值电压:4.5V@4mA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:900mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6511KND3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6511KND3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6511KND3TL1

    功率:124W

    阈值电压:5V@320μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订2个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订2个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6511KND3TL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6511KND3TL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6511KND3TL1

    功率:124W

    阈值电压:5V@320μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7670 起订389个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7670 起订389个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25565}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7670

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.36nF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧