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    栅极电荷: 22nC@10V
    工作温度: -55℃~+150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:70+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435 起订1200个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435 起订1200个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM9435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:845pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:80pF@15V

    导通电阻:51mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7670 起订389个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7670 起订389个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25565}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7670

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.36nF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G08N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:979pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订16000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订16000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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