品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):219psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1728G-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT60N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:12mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2284}
包装规格(MPQ):219psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1728G-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2284}
包装规格(MPQ):219psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1728G-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2284}
包装规格(MPQ):219psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1728G-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT50N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:11mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT50N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:11mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):219psc
生产批次:{"18+":2284}
规格型号(MPN):UPA1728G-E1-AT
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1.7nF@10V
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:45A
功率:70W
漏源电压:60V
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.988nF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:45A
功率:70W
漏源电压:60V
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.988nF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2284}
包装规格(MPQ):219psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1728G-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG60NF06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:12mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG60NF06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:12mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG60NF06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:12mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: