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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
