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    品牌
    ST
    栅极电荷
    31nC@10V
    类型
    1个N沟道
    漏源电压
    650V
    品牌： ST
    栅极电荷： 31nC@10V
    类型： 1个N沟道
    漏源电压： 650V
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    ST Mosfet场效应管 STP18N65M5 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M5 起订数1000个

    品牌：ST

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55℃~+150℃

    功率：110W

    阈值电压：5V@250μA

    栅极电荷：31nC@10V

    输入电容：1.24nF@100V

    连续漏极电流：15A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：220mΩ@7.5A，10V

    漏源电压：650V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    ST Mosfet场效应管 STP18N65M5 起订数500个
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M5 起订数500个

    品牌：ST

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55℃~+150℃

    功率：110W

    阈值电压：5V@250μA

    栅极电荷：31nC@10V

    输入电容：1.24nF@100V

    连续漏极电流：15A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：220mΩ@7.5A，10V

    漏源电压：650V

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    ST Mosfet场效应管 STP18N65M5 起订数100个
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M5 起订数100个

    品牌：ST

    分类：Mosfet场效应管

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    销售单位：个

    工作温度：-55℃~+150℃

    功率：110W

    阈值电压：5V@250μA

    栅极电荷：31nC@10V

    输入电容：1.24nF@100V

    连续漏极电流：15A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：220mΩ@7.5A，10V

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