采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
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输入电容：690pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：690pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
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输入电容：690pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
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导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
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导通电阻：40mΩ@12A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@12A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：60W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：24A
输入电容：690pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@12A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：60W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：24A
输入电容：690pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@12A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：60W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：24A
输入电容：690pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：1701}
规格型号(MPN)：NTP5864NG
功率：107W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
包装方式：卷带（TR）
功率：120W
导通电阻：28mΩ@44A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：7.2A€44A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@12A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：60W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：24A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@12A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：60W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：24A
输入电容：690pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：1701}
规格型号(MPN)：NTP5864NG
功率：107W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
