品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":135115}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":22661,"11+":1105244,"9999":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":28500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":22661,"11+":1105244,"9999":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":135115}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":22661,"11+":1105244,"9999":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":135115}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":28500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":28500}
规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:49.4nC@10V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
连续漏极电流:13A€93A
功率:930mW€48W
输入电容:4850pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
漏源电压:40V
输入电容:3583pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
栅极电荷:49.4nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":22661,"11+":1105244,"9999":689}
规格型号(MPN):NTMFS4935NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:49.4nC@10V
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:13A€93A
功率:930mW€48W
输入电容:4850pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:49.4nC@10V
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:13A€93A
功率:930mW€48W
输入电容:4850pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: