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    栅极电荷
    栅极电荷: 88.9 nC @ 10 V
    当前匹配商品:2
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    onsemi Mosfet场效应管 NVBGS4D1N15MC 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 NVBGS4D1N15MC 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3,7W(Ta),316W(Tc)

    阈值电压:4,5V @ 574µA

    栅极电荷:88.9 nC @ 10 V

    输入电容:7285 pF @ 75 V

    连续漏极电流:20A(Ta),185A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4,1毫欧 @ 104A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVBGS4D1N15MC 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 NVBGS4D1N15MC 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:4,5V @ 574µA

    导通电阻:4,1毫欧 @ 104A,10V

    输入电容:7285 pF @ 75 V

    连续漏极电流:20A(Ta),185A(Tc)

    栅极电荷:88.9 nC @ 10 V

    漏源电压:150V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3,7W(Ta),316W(Tc)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

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