品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G40P03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:138W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF280N65E1_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.04nF@400V
连续漏极电流:13.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@4.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: