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    栅极电荷: 30nC@10V
    阈值电压: 4V@250µA
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB13NM60N 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB13NM60N 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB13NM60N

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€35.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€35.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@75V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:315mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N6F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N6F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60N

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@75V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:315mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3698}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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