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    栅极电荷: 30nC@10V
    漏源电压: 100V
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:3V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSF134N10NJ3GXUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€43W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:9A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€35.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订382个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订382个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4839,"24+":3252}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSF134N10NJ3GXUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€43W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:9A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€35.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA72EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA72EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSF134N10NJ3GXUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€43W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:9A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:3V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA72EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA72EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA72EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA72EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ474EP-T1_BE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ474EP-T1_BE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSF134N10NJ3GXUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€43W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:9A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@50V

    连续漏极电流:16.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@50V

    连续漏极电流:16.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB27NQ10T,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB27NQ10T,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB27NQ10T,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB27NQ10T,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@50V

    连续漏极电流:16.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ474EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ474EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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