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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF280N65E1_T0_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.04nF@400V
连续漏极电流：13.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
