采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：54740，"23+"：44940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ180P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€40W
阈值电压：3.1V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：9A€39.5A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ180P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€40W
阈值电压：3.1V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：9A€39.5A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2337，"23+"：27072，"24+"：6430}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ180P03NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€40W
阈值电压：3.1V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：9A€39.6A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ180P03NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€40W
阈值电压：3.1V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：9A€39.6A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7315DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@75V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：315mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ180P03NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€40W
阈值电压：3.1V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：9A€39.6A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
