销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOK40B65H2AL

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：117ns

反向恢复时间：315ns

关断损耗：540µJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

集电极电流(Ic)：2.6V@15V，40A

导通损耗：1.17mJ

工作温度：-55℃ ~ 150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOK40B65H2AL

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：117ns

反向恢复时间：315ns

关断损耗：540µJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

集电极电流(Ic)：2.6V@15V，40A

导通损耗：1.17mJ

工作温度：-55℃ ~ 150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C3M0045065J1-TR

工作温度：-40℃~+150℃

功率：147W

阈值电压：3.6V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：47A

类型：MOSFET

导通电阻：60mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB95R310PFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：125W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：17.5A

类型：MOSFET

导通电阻：310mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C3M0045065J1-TR

工作温度：-40℃~+150℃

功率：147W

阈值电压：3.6V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：47A

类型：MOSFET

导通电阻：60mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C3M0045065J1-TR

工作温度：-40℃~+150℃

功率：147W

阈值电压：3.6V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：47A

类型：MOSFET

导通电阻：60mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C3M0045065J1-TR

工作温度：-40℃~+150℃

功率：147W

阈值电压：3.6V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：47A

类型：MOSFET

导通电阻：60mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOK40B65H2AL

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：117ns

反向恢复时间：315ns

关断损耗：540µJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

集电极电流(Ic)：2.6V@15V，40A

导通损耗：1.17mJ

工作温度：-55℃ ~ 150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C3M0045065J1-TR

工作温度：-40℃~+150℃

功率：147W

阈值电压：3.6V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：47A

类型：MOSFET

导通电阻：60mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C3M0045065J1-TR

工作温度：-40℃~+150℃

功率：147W

阈值电压：3.6V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：47A

类型：MOSFET

导通电阻：60mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：150ns

关断损耗：86µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：61nC

类型：场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：270µJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTW40N120G2V

工作温度：-55℃~+200℃

功率：278W

阈值电压：4.9V

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1