品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
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包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6515ENXC7G
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:315mΩ@6.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
连续漏极电流:20A
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
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功率:220W
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:5V@630µA
包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
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包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
连续漏极电流:20A
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
工作温度:150℃
功率:220W
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:5V@630µA
包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZ4C13
功率:231W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZC17
功率:68W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
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连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZC17
功率:68W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZ4C13
功率:231W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZC17
功率:68W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6515ENXC7G
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:315mΩ@6.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6515ENXC7G
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@430µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:315mΩ@6.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZ4C13
功率:231W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZ4C13
功率:231W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZC17
功率:68W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNZ4C13
功率:231W
阈值电压:5V@630μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: