首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    栅极电荷: 40nC@10V
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL140N6F7

    工作温度:175℃

    功率:4.8W€125W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:145A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3816-DL-1E 起订190个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3816-DL-1E 起订190个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":439,"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3816-DL-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL140N6F7

    工作温度:175℃

    功率:4.8W€125W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:145A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订239个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订239个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19P06-60-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€38.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL140N6F7

    工作温度:175℃

    功率:4.8W€125W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:145A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19P06-60-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€38.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19P06-60-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€38.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19P06-60-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€38.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520DC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€73W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧