品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
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功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3
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功率:57W€4.8W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
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阈值电压:3.8V@250μA
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输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
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功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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