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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB20N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@9A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL140N6F7

    工作温度:175℃

    功率:4.8W€125W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:145A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1666pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB14R0EPX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB14R0EPX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB14R0EPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:227pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1 起订914个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1 起订914个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4,"22+":1050,"23+":4458}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2145pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB12P20TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB12P20TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB12P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€120W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:470mΩ@5.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P130SPTL1 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P130SPTL1 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P130SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6284

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2162pF@40V

    连续漏极电流:24A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC052N08NS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC052N08NS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.8V@49µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3816-DL-1E 起订190个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3816-DL-1E 起订190个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":439,"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3816-DL-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 4435 起订24个装
    谷峰 Mosfet场效应管 4435 起订24个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2270pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB19N20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€140W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:19.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC059N04LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC059N04LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC059N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@20V

    连续漏极电流:16A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB20N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@9A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL140N6F7

    工作温度:175℃

    功率:4.8W€125W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:145A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7205TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7205TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7205TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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