品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM025NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@20V
连续漏极电流:24A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM025NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@20V
连续漏极电流:24A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM025NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@20V
连续漏极电流:24A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM025NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@20V
连续漏极电流:24A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6SCATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
功率:3W€188W
输入电容:8400pF@20V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
连续漏极电流:48A€381A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S402ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
导通电阻:2.4mΩ@90A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6SCATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
功率:3W€188W
输入电容:8400pF@20V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:48A€381A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB0260N1007L
输入电容:8545pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:2.6mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S402ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
导通电阻:2.4mΩ@90A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N04S402ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM025NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@20V
连续漏极电流:24A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N04S402ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":209,"23+":77500,"MI+":2500}
规格型号(MPN):IPD100N04S402ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90N04S402ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
导通电阻:2.1mΩ@90A,10V
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB088N08
导通电阻:8.8mΩ@75A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
输入电容:6595pF@25V
功率:160W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0260N1007L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8545pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK761R7-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:324W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N04S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9430pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0260N1007L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8545pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: