品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H020TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H020TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM240N03CX6 RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H020TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H020TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: