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    栅极电荷
    连续漏极电流
    阈值电压
    栅极电荷: 4.1nC@4.5V
    连续漏极电流: 1.6A
    阈值电压: 3V@250μA
    当前匹配商品:3
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:345mΩ@10V,1.25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:345mΩ@10V,1.25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:1.6A

    导通电阻:345mΩ@10V,1.25A

    功率:1W€1.7W

    输入电容:210pF@30V

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    漏源电压:60V

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    栅极电荷:4.1nC@4.5V

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