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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3066LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3066LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3066LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.2A€1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.2A€1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3066LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.2A€1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3066LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.2A€1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
