品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66966
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€215W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5325pF@50V
连续漏极电流:31.3A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6220
工作温度:-55℃~150℃
功率:113.5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4525pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4290A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4525pF@50V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":359}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB032N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3.8V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@83A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6220
工作温度:-55℃~150℃
功率:113.5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4525pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: