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    品牌: VISHAY
    栅极电荷: 95nC@10V
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:95nC@10V

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:95nC@10V

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:27.2A

    输入电容:4200pF@20V

    栅极电荷:95nC@10V

    功率:3W€6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:95nC@10V

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    功率:3.8W€8.4W

    栅极电荷:95nC@10V

    连续漏极电流:12A€17A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHP23N60E-GE3

    功率:227W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2418pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:95nC@10V

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4164DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4164DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4164DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    类型:N-Channel

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    栅极电荷:95nC@10V

    功率:3W€6W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:27.2A

    输入电容:4200pF@20V

    栅极电荷:95nC@10V

    功率:3W€6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4114DY-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    输入电容:3700pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.5W€5.7W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    栅极电荷:95nC@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHB23N60E-GE3

    功率:227W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2418pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4164DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4164DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4164DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    栅极电荷:95nC@10V

    功率:3W€6W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHB23N60E-GE3

    功率:227W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    漏源电压:600V

    输入电容:2418pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHP23N60E-BE3

    功率:227W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2418pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:27.2A

    输入电容:4200pF@20V

    栅极电荷:95nC@10V

    功率:3W€6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4114DY-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    输入电容:3700pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.5W€5.7W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    栅极电荷:95nC@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€8.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:27.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4114DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB23N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€8.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4114DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3545pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:27.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€8.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:27.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€8.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3545pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP23N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP23N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
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