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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG150N10P 起订4个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG150N10P 起订4个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG150N10P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:211W

    阈值电压:3.9V@250μA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:6.6nF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:210pF@25V

    导通电阻:5mΩ@10V,70A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 IRFB4110 起订100个装
    MINOS Mosfet场效应管 IRFB4110 起订100个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4110

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:211W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:6.6nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:210pF@25V

    导通电阻:5mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG150N10P 起订50个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG150N10P 起订50个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG150N10P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:211W

    阈值电压:3.9V@250μA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:6.6nF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:210pF@25V

    导通电阻:5mΩ@10V,70A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1600个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1600个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订800个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订800个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订2400个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订2400个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:6.25W€125W

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    栅极电荷:108nC@10V

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    包装方式:卷带(TR)

    功率:263W

    输入电容:7380pF@25V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:108nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    包装方式:卷带(TR)

    功率:263W

    输入电容:7380pF@25V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:108nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG180N10P 起订3个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG180N10P 起订3个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG180N10P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:211W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:13.5nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:635pF@25V

    导通电阻:5mΩ@10V,70A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG150N10P 起订100个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG150N10P 起订100个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG150N10P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:211W

    阈值电压:3.9V@250μA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:6.6nF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:210pF@25V

    导通电阻:5mΩ@10V,70A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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