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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800150DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8205pF@75V

    连续漏极电流:15A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCTL295N06Y-TP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MCTL295N06Y-TP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8350pF@30V

    连续漏极电流:295A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403-F085T6 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403-F085T6 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9403-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€159.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6985pF@25V

    连续漏极电流:50A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800150DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8205pF@75V

    连续漏极电流:15A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6N010ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6N010ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6N010ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3V@90µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6878pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.03mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R040CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R040CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4351pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800150DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8205pF@75V

    连续漏极电流:15A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6077VNZ4C13 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6077VNZ4C13 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6077VNZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:781W

    阈值电压:6.5V@1.9mA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@100V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@23A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6077VNZ4C13 起订60个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6077VNZ4C13 起订60个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6077VNZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:781W

    阈值电压:6.5V@1.9mA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@100V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@23A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6077VNZ4C13 起订250个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6077VNZ4C13 起订250个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6077VNZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:781W

    阈值电压:6.5V@1.9mA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@100V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@23A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":26700,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403-F085T6 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403-F085T6 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9403-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€159.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6985pF@25V

    连续漏极电流:50A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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