品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.761nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.761nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.761nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.761nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€108W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1267}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8734TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: