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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL56N3LLH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
