采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5849，"23+"：3550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA442EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：636pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA442EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：636pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5849，"23+"：3550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA442EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：636pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA442EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：636pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA442EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：636pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C677NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：11A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
