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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
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功率：1.56W
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输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
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漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
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功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
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输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
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功率：1.56W
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输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
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输入电容：515pF@10V
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类型：P沟道
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输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
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规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
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功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
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输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.56W
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ECCN：EAR99
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输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
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连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
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功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
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连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
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功率：1.56W
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连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
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功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
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连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
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规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
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功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
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输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.56W
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.56W
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.56W
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：110mΩ@2A，10V
功率：1.2W
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
漏源电压：20V
输入电容：210pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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