销售单位：个

规格型号(MPN)：IXYP10N65C3D1M

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：50A

关断延迟时间：77ns

反向恢复时间：26ns

关断损耗：170µJ

开启延迟时间：20ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：18nC

集电极电流(Ic)：2.6V@15V，10A

导通损耗：240µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：13100，"22+"：11498，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN60R280P7SXKSA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：76W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：15000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGD2736G3-F085

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

关断延迟时间：15µs

反向恢复时间：7µs

开启延迟时间：4µs

集电极截止电流(Ices)：360V

栅极电荷：18nC

集电极电流(Ic)：1.65V@4.5V，10A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：15000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGD2736G3-F085

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

关断延迟时间：15µs

反向恢复时间：7µs

开启延迟时间：4µs

集电极截止电流(Ices)：360V

栅极电荷：18nC

集电极电流(Ic)：1.65V@4.5V，10A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：12.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：15000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGD2736G3-F085

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

关断延迟时间：15µs

反向恢复时间：7µs

开启延迟时间：4µs

集电极截止电流(Ices)：360V

栅极电荷：18nC

集电极电流(Ic)：1.65V@4.5V，10A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"17+"：609，"18+"：880，"19+"：440，"22+"：690，"23+"：510，"9999"：208}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP042N03LGXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：79W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：70A

类型：MOSFET

导通电阻：3.5mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：12.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ESN4838

功率：21W

阈值电压：1.4V@250μA

栅极电荷：18nC

输入电容：1.08nF

连续漏极电流：33A

类型：2个N沟道

反向传输电容：110pF

导通电阻：7.5mΩ@10V，20A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGD2736G3-F085

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

关断延迟时间：15µs

反向恢复时间：7µs

开启延迟时间：4µs

集电极截止电流(Ices)：360V

栅极电荷：18nC

集电极电流(Ic)：1.65V@4.5V，10A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXYP10N65C3D1M

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：50A

关断延迟时间：77ns

反向恢复时间：26ns

关断损耗：170µJ

开启延迟时间：20ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：18nC

集电极电流(Ic)：2.6V@15V，10A

导通损耗：240µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXYP10N65C3D1M

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：50A

关断延迟时间：77ns

反向恢复时间：26ns

关断损耗：170µJ

开启延迟时间：20ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：18nC

集电极电流(Ic)：2.6V@15V，10A

导通损耗：240µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：13100，"22+"：11498，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN60R280P7SXKSA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC093N04LS G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：35W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：49A

类型：MOSFET

导通电阻：9.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC093N04LS G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：35W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：49A

类型：MOSFET

导通电阻：9.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A

关断延迟时间：77.5ns

反向恢复时间：38ns

关断损耗：0.044mJ

开启延迟时间：7ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：18nC

导通损耗：0.062mJ

工作温度：-40℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：76W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：12.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT360N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：10A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT360N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：10A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1