采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.4V@60µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR680ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4415pF@40V
连续漏极电流：30.7A€125A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP80N25X3
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.5V@1.5mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：5430pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7944}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800152DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@75V
连续漏极电流：13A€72A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14380，"23+"：20287，"MI+"：7235}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：2.8V@747µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@20V
连续漏极电流：40A€285A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT22N50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3710pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7944}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800152DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@75V
连续漏极电流：13A€72A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR680ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4415pF@40V
连续漏极电流：30.7A€125A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT22N50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3710pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR680ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4415pF@40V
连续漏极电流：30.7A€125A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
