品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
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栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
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栅极电荷:9nC@10V
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连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
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栅极电荷:9nC@10V
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连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: