品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":25500,"18+":25357,"19+":27000,"9999":1465,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAW60R600P7SE8228XKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2,"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN022-30PL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.26Ω@1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":25500,"18+":25357,"19+":27000,"9999":1465,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P7SE8228XKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":0,"22+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAW60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STU7N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":623}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":158,"18+":1490}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1950}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAW60R600P7SE8228XKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P7SE8228XKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":25500,"18+":25357,"19+":27000,"9999":1465,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAW60R600P7SE8228XKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STU7N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2,"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN022-30PL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: