采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD5T40P
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：273pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2318CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5A€6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SE8228AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5A€6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.4W
阈值电压：3.5V@50µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@500V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@940mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@20V
连续漏极电流：4.3A€5.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
