采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
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功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1423-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：175pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1423-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：175pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：500V
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品牌：VISHAY
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规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
功率：1.3W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：8.7nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
包装方式：散装
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
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类型：P沟道
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功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@420mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1423-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：175pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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