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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.7nC@10V
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@660mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.7nC@10V
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@660mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.7nC@10V
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，1.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.7nC@10V
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@660mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
