采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2718J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：13W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：168pF@10V
导通电阻：13mΩ@4.5V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
