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    栅极电荷: 14nC@4.5V
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
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    当前匹配商品:60+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.98W€9.6W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@10V

    连续漏极电流:10A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    加购:4000
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订200个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订200个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.77A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.77A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2818}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1090
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