采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16414Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@12.5V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16414Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@12.5V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16414Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@12.5V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16414Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@12.5V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16414Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@12.5V
连续漏极电流：34A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
