品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF20N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31V60X,LQ
工作温度:150℃
功率:240W
阈值电压:3.5V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:30.8A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@9.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP114N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ44NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@17A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH3R206NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP17NK40ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7418
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2994pF@15V
连续漏极电流:46A€50A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH50N30Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:690W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3160pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@25A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2865pF@15V
连续漏极电流:9.5A€20A
类型:P沟道
导通电阻:14.4mΩ@9.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT26N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1000,"17+":1400,"18+":2080}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP20NQ20T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14846,"17+":13500,"21+":500,"22+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N12S311AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:30.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4044pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1730,"21+":1609,"22+":540,"23+":5064,"MI+":1299}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":58000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2922pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: