品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
阈值电压:3.3V@109µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
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输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
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栅极电荷:69nC@10V
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输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
阈值电压:3.3V@109µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
阈值电压:3.3V@109µA
栅极电荷:69nC@10V
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输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
阈值电压:3.3V@109µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
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栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
阈值电压:3.3V@109µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
阈值电压:3.3V@109µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: